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Condensadores de filtrado de CA de alto rendimiento al por mayor en China - Condensadores amortiguadores axiales GTO - CRE

Condensadores de filtrado de CA de alto rendimiento al por mayor en China - Condensadores amortiguadores axiales GTO - CRE Imagen destacada
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Condensadores de filtrado de CA de alto rendimiento al por mayor en China - Condensadores amortiguadores axiales GTO - Detalle CRE:

Datos técnicos

Rango de temperatura de funcionamiento Temperatura máxima de funcionamiento., Superior, máx.: + 85 ℃ Temperatura de categoría superior: +85 ℃ Temperatura de categoría inferior: -40 ℃
rango de capacitancia 0,1 μF ~ 5,6 μF
Tensión nominal

630 V CC ~ 2000 V CC
Cap.tol

±5%(J);±10%(K)
Tensión soportada

1,5Un CC/10S
Factor de disipación

tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz

tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
Resistencia de aislamiento

C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (a 20℃ 100V.DC 60S)

C＞0.33μF RS*C≥5000S (a 20℃ 100V.DC 60S)
Resistir la corriente de ataque
Esperanza de vida

100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
Estándar de referencia

IEC 61071;IEC 61881;GB/T17702

Solicitud

1. Amortiguador IGBT.

2. Ampliamente utilizado en equipos electrónicos de potencia cuando el voltaje máximo, protección de absorción de corriente máxima.

Dibujo de esquema

 

1

 

 

 

 

Condensador axial SMJ-TE
Voltaje Un630V.DC;Urms400Vac;Nosotros 945V
Capacitancia (uF) L (mm±1) T (mm±1) Alto (mm±1) φd (mm) ESR a 100 KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) ipk(A) Irm @25℃ @100KHz (A)
0,22 32 9.5 17,5 0,8 16 23 300 66 5.3
0,33 32 12 20 1 13 22 200 66 6.5
0,47 32 14.5 22,5 1 11 21 220 103.4 8.3
0,68 32 18 26 1 10 20 180 122,4 9.5
1 37 11 19 1 8 28 150 150 7.6
1.5 37 13.5 21,5 1 7 27 150 225 9.5
2 37 16 24 1.2 6 24 130 260 10.2
2.5 37 18 26 1.2 5.5 25 120 300 10.5
3 37 20 28 1.2 5 30 110 330 10.8
3.3 37 21 29 1.2 4.5 30 110 363 11.2
4 57 27 36,5 1.2 4.2 32 220 880 12.8
4.7 57 28 40,5 1.2 3.8 32 200 940 13.8
5.6 57 31 33,5 1.2 3.5 32 185 1036 13.5
6.8 37 29 41,5 1.2 2.5 28 100 680 13.8
6.8 57 34 46,5 1.2 2.8 30 180 1224 14.2

 

Voltaje Un 1000V.DC;Urms 500Vac;Us 1500V
Capacitancia (uF) L (mm±1) T (mm±1) Alto (mm±1) φd (mm) ESR a 100 KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) ipk(A) Irm @25℃ @100KHz (A)
0,15 32 10 17,5 0,8 20 20 1100 165 5.5
0,22 32 12 20 1 15 21 1000 220 7.3
0,33 32 15.5 23 1 13 21 1000 330 8.7
0,47 32 18.5 26 1.2 10 23 1000 470 10.5
0,47 44 14 22 1.2 9 24 900 423 9.5
0,68 32 20 32,5 1.2 7 25 900 612 10.8
0,68 44 17 25 1.2 6 26 800 544 10.2
1 44 21,5 29,5 1.2 5.6 27 900 900 11
1.5 44 26 35,5 1.2 5 29 900 1350 12
1.5 57 21 29 1.2 5 30 700 1050 12.2
2 44 28 40,5 1.2 4.8 30 800 1600 13.2
2 57 24 33,5 1.2 4.8 32 600 1200 12.8
2.2 44 30 42,5 1.2 4.2 32 600 1320 13.8
2.2 57 25 34,5 1.2 4.2 32 500 1100 13.5
2.5 57 25 38 1.2 4 33 500 1250 14.2
3 57 28 40,5 1.2 3.5 34 480 1440 15.6
3.3 57 29,5 42 1.2 3.2 35 450 1485 16.5
3.5 57 30,5 43 1.2 3.2 35 450 1575 17.2
4.7 57 35 50,5 1.2 3 36 420 1974 17.8
5.6 57 38,5 65 1.2 2.8 38 400 2240 18.2

 

Voltaje Un 1200V.DC;Urms 550Vac;Us 1800V
Capacitancia (uF) L (mm±1) T (mm±1) Alto (mm±1) φd (mm) ESR a 100 KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) ipk(A) Irm @25℃ @100KHz (A)
0.1 32 8.5 16 0,8 20 20 1300 130 6
0,15 32 10 17,5 1 18 20 1200 180 7.5
0,22 32 13 21 1 15 22 1200 264 8.3
0,33 32 16 24 1 12 23 1200 396 9
0,47 32 17,5 30 1.2 10 23 1200 564 9.5
0,47 44 15 23 1.2 9 26 1100 517 9.8
0,68 32 21,5 34 1.2 8 25 1100 517 10
0,68 44 18.5 26,5 1.2 6 27 1000 680 11.7
1 44 23 31 1.2 5 28 1000 1000 12.4
1.5 44 26,5 39 1.2 5 30 950 1425 13.5
1.5 57 22,5 30,5 1.2 5 29 900 1350 12.6
2 44 29 45 1.2 5 30 800 1600 14.2
2 57 26,5 34,5 1.2 4.8 30 750 1500 13.8
2.2 44 31 47 1.2 4.2 32 800 1760 14.5
2.2 57 27,5 35,5 1.2 4.2 35 700 1540 14.5
3 57 29 44,5 1.2 3.2 37 500 1500 17.2
3.3 57 30,5 46 1.2 3.2 38 450 1485 17.8
4.7 57 38 53,5 1.2 3 38 420 1974 18.2

 

Voltaje Un 1700V.DC;Urms 600Vac;Us 2550V
Capacitancia (uF) L (mm±1) T (mm±1) Alto (mm±1) φd (mm) ESR a 100 KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) ipk(A) Irm @25℃ @100KHz (A)
0.1 32 9.5 17,5 0,8 18 25 1300 130 7.5
0,15 32 12 20 1 16 24 1200 180 8.5
0,22 32 15 23 1 15 24 1200 264 9.3
0,33 32 18.5 26,5 1 12 22 1200 396 9.9
0,33 44 13.5 21,5 1.2 12 29 1100 363 10.2
0,47 44 16 24 1.2 9 28 1000 470 11.2
0,68 44 20 28 1.2 8 27 1000 680 11.7
1 44 24 33,5 1.2 5.6 26 900 900 12.4
1 57 19.5 27,5 1.2 6 33 850 850 10.8
1.5 44 28 40,5 1.2 4.8 25 800 1200 13.5
1.5 57 24 32 1.2 5 33 750 1125 13.5
2 44 31,5 47 1.2 4.5 24 750 1500 14.2
2 57 27,5 37 1.2 4.8 32 650 1300 12.8
2.2 44 33,5 49 1.2 4.5 34 700 1540 15.6
2.2 57 29 40 1.2 4.2 32 600 1320 14.5
3 57 31 46,5 1.2 4 30 560 1680 17.2
3.3 57 33 48,5 1.2 3.2 29 500 1650 17.6
4 57 37 52,5 1.2 3 28 450 1800 18.2

 

Voltaje Un 2000V.DC;Urms 700Vac;Us 3000V
Capacitancia (uF) L (mm±1) T (mm±1) Alto (mm±1) φd (mm) ESR a 100 KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) ipk(A) Irm @25℃ @100KHz (A)
0.068 32 9 17 0,8 25 23 1500 102 6.9
0.1 32 11.5 19.5 1 18 22 1500 150 8.2
0.1 37 10.5 18.5 1 18 26 1450 145 8
0,22 32 17,5 25,5 1.2 15 21 1400 308 9.1
0,22 37 16 24 1.2 15 25 1300 286 9
0,33 37 20 28 1.2 12 24 1250 412,5 9.5
0,33 44 18 26 1.2 12 30 1200 396 10.2
0,47 44 19.5 32 1.2 10 29 1100 517 12.4
0,68 44 24 36,5 1.2 8 28 1000 680 14.2
0,68 57 18.5 31 1.2 8 27 900 612 14.2
1 57 23,5 36 1.2 6 31 950 950 14.5
1.5 57 29,5 42 1.2 5 31 850 1275 14.5
2 57 33 48,5 1.2 4.2 31 750 1500 16.5
2.2 57 35 50,5 1.2 4 30 700 1540 17.8

 

Voltaje Un 3000V.DC;Urms 750Vac;Us 4500V
Capacitancia (uF) L (mm±1) T (mm±1) Alto (mm±1) φd (mm) ESR a 100 KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) ipk(A) Irm @25℃ @100KHz (A)
0,047 44 13.5 21,5 1 22 20 2000 94 8.5
0.068 44 17 25 1 20 20 1800 122,4 10.5
0.1 44 20,5 28,5 1.2 18 20 1500 150 12.4
0,15 44 26 34 1.2 16 22 1350 202.5 13.8
0,22 44 29 41,5 1.2 14.5 22 1200 264 14.5
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