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Fabricación de condensadores amortiguadores para IGBT: dieléctrico de baja pérdida de película de polipropileno. Condensador amortiguador para aplicaciones IGBT – CRE

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La innovación, la excelencia y la fiabilidad son los valores fundamentales de nuestra empresa. Estos principios, hoy más que nunca, constituyen la base de nuestro éxito como empresa mediana con presencia internacional.Condensador de enlace CC para aplicaciones automotrices , Condensadores de enlace CC en convertidores de potencia , Condensador de película de polipropileno de alto voltajePriorizamos la calidad y la satisfacción del cliente, y para ello seguimos rigurosos controles de calidad. Contamos con instalaciones de prueba internas donde nuestros productos se someten a pruebas exhaustivas en las diferentes etapas de procesamiento. Gracias a las tecnologías más avanzadas, ofrecemos a nuestros clientes instalaciones de producción personalizadas.
Fabricación de condensadores amortiguadores para IGBT: dieléctrico de baja pérdida de película de polipropileno. Condensador amortiguador para aplicaciones IGBT – CRE. Detalle:

Serie SMJ-P

Rango de voltaje nominal: 1000 VCC a 2000 VCC
Rango de capacitancia: 0,1 uf a 3,0 uf
Paso de montaje: 22,5 mm a 48 mm
Construcción: Conexión en serie interna dieléctrica de polipropileno metalizado
Aplicación: Protección IGBT, circuitos de tanque de resonancia

Los elementos del condensador snubber, autorreparables, de tipo seco, se fabrican con película de PP metalizada, cortada por onda y con un perfil especial, lo que garantiza baja autoinductancia, alta resistencia a la ruptura y alta fiabilidad. No se requiere la desconexión por sobrepresión. La parte superior del condensador está sellada con epoxi ecológico autoextinguible. Su diseño especial garantiza una autoinductancia muy baja.

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Tabla de especificaciones

Voltaje Un 700 V CC, Urms 400 V CA; Us 1050 V
Dimensiones (mm)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR a 100 kHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms a 40 °C a 100 kHz (A)
0,47 42.5 24.5 27.5 12 25 500 235 8
0,68 42.5 24.5 27.5 10 25 480 326.4 10
1 42.5 24.5 27.5 8 24 450 450 12
1.5 42.5 33.5 35.5 7 25 430 645 5
2 42.5 33 35.5 6 24 420 840 15
2.5 42.5 33 45 6 23 400 1000 18
3 42.5 33 45 5.5 22 380 1140 20
3 57.5 30 45 5 26 350 1050 22
3.5 42.5 33 45 5 23 350 1225 25
3.5 57.5 30 45 6 25 300 1050 22
4.7 57.5 35 50 5 28 280 1316 25
5.6 57.5 38 54 4 30 250 1400 25
6 57.5 38 54 3.5 33 230 1380 28
6.8 57.5 42.5 56 3.2 32 220 1496 32
8 57.5 42.5 56 2.8 30 200 1600 33
Voltaje Un 1000 V CC, Urms 500 V CA; Us 1500 V
Dimensiones (mm)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0,47 42.5 24.5 27.5 11 25 1000 470 10
0,68 42.5 24.5 27.5 8 25 800 544 12
1 42.5 33.5 35.5 6 24 800 800 15
1.5 42.5 33 45 6 24 700 1050 15
2 42.5 33 45 5 22 700 1400 20
2.5 57.5 30 45 5 30 600 1500 22
3 57.5 35 50 4 30 600 1800 25
3.3 57.5 35 50 3.5 28 550 1815 25
3.5 57.5 38 54 3.5 28 500 1750 25
4 57.5 38 54 3.2 26 500 2000 28
4.7 57.5 42.5 56 3 25 420 1974 30
5.6 57.5 42.5 56 2.8 24 400 2240 32
Voltaje Un 1200 V CC, Urms 550 V CA; Us 1800 V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0,47 42.5 24.5 27.5 11 24 1200 564 10
0,68 42.5 33.5 35.5 7 23 1100 748 12
1 42.5 33.5 35.5 6 22 800 800 14
1.5 42.5 33 45 5 20 800 1200 15
2 57.5 30 45 4 30 750 1500 20
2.5 57.5 35 50 4 28 700 1750 25
3 57.5 35 50 4 27 600 1800 25
3.3 57.5 38 54 4 27 550 1815 28
3.5 57.5 38 54 3.5 25 500 1750 28
4 57.5 42.5 56 3.5 25 450 1800 30
4.7 57.5 42.5 56 3.2 23 420 1974 32
Voltaje Un 1700 V CC, Urms 575 V CA; Us 2250 V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.33 42.5 24.5 27.5 12 25 1300 429 9
0,47 42.5 24.5 27.5 10 24 1300 611 10
0,68 42.5 33.5 35.5 8 23 1300 884 12
1 42.5 33 45 7 22 1200 1200 15
1.5 42.5 33 45 6 22 1200 1800 18
1.5 57.5 30 45 5 31 1200 1800 20
2 57.5 30 45 5 30 1100 2200 22
2.5 57.5 35 50 4 28 1100 2750 25
3 57.5 38 54 4 27 700 2100 25
3.3 57.5 38 54 3.8 26 600 1980 28
3.5 57.5 42.5 56 3.5 25 500 1750 30
4 57.5 42.5 56 3.2 25 450 1800 32
Voltaje Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0,22 42.5 24.5 27.5 15 25 1500 330 10
0.33 42.5 33.5 35.5 12 24 1500 495 12
0,47 42.5 33.5 35.5 11 23 1400 658 15
0,68 42.5 33 45 8 22 1200 816 18
0,68 57.5 30 45 7 30 1100 748 20
0,82 42.5 33 45 7 28 1200 984 22
1 57.5 30 45 6 28 1100 1100 25
1.5 57.5 35 50 5 25 1000 1500 28
2 57.5 38 54 5 24 800 1600 28
2.2 57.5 42.5 56 4 23 700 1540 32
Voltaje Un 3000 V CC, Urms 750 V CA; Us 4500 V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0,15 42.5 33 45 18 28 2500 375 25
0,22 42.5 33 45 15 27 2200 484 28
0,22 57.5 35 50 15 25 2000 330 20
0.33 57.5 35 50 12 24 1800 495 20
0,47 57.5 38 54 11 23 1600 752 22
0,68 57.5 42.5 56 8 22 1500 1020 28

Imágenes de detalles del producto:

Condensador amortiguador para IGBT: dieléctrico de baja pérdida de película de polipropileno. Imágenes detalladas de CRE.

Condensador amortiguador para IGBT: dieléctrico de baja pérdida de película de polipropileno. Imágenes detalladas de CRE.

Condensador amortiguador para IGBT: dieléctrico de baja pérdida de película de polipropileno. Imágenes detalladas de CRE.

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Nos comprometemos con la atención al cliente, la calidad, la integración y la innovación. La honestidad y la honestidad son nuestros principios de gestión. Fabricamos condensadores amortiguadores para IGBT (con dieléctrico de baja pérdida de película de polipropileno) para aplicaciones IGBT (CRE). Suministramos nuestros productos a todo el mundo, como Ghana, Haití y Brasilia. Nuestros productos gozan de amplio reconocimiento y confianza, satisfaciendo las necesidades económicas y sociales en constante evolución. Invitamos a clientes nuevos y antiguos de todos los ámbitos a contactarnos para futuras relaciones comerciales y un éxito mutuo.
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